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单选题 抑制性突触后电位的变化是突触后膜出现( )。

A

去极化

B

超极化

C

复极化

D

反极化

正确答案 :B

解析

本题考查动作电位。 后电位包括前后两个部分,前一部分的膜电位仍小于静息电位,称为后去极化电位;后一部分大于静息电位,称为后超极化电位。抑制性突触后电位是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl通透性增加,Cl内流产生局部超极化电位。突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使盾膜上的配体门控Cl 通道开放,引起Cl内流,突触后膜发生超极化。故本题答案为B。 A选项:去极化又称除极化,是指将模极化状态变小的变化趋势或者静息电位向膜内负值减小的方向变化。 C选项:复极化是在动作电位发生和发展过程中,从反极化的状态的电位恢复到膜外正电位、膜内负电位的静息状态,称为复极化。复极化是由于钾离子的外流引起的。 D选项:反极化是指细胞膜电位由外正内负变为外负内正的状态。